澎湃「芯」動力，賽晶正式發佈SiC芯片！

於8月28日舉行的PCIM Asia 2024展上，賽晶科技所屬子公司SwissSEM正式發佈1200V/13mΩ SiC MOSFET芯片，並由芯片專家做現場報告《高温導通電阻行業領先的1.2kV SiC MOSFET，適用於電動汽車緊湊型逆變器》。

賽晶科技SiC MOSFET芯片

碳化硅（SiC）具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度和高遷移率等特點，是良好的半導體材料，廣泛應用於新能源汽車、光伏逆變、電力儲能、服務器電源、工業電源變頻、智能電網、軌道交通等各個領域。尤其在新能源汽車領域，碳化硅（SiC）功率器件有助於實現新能源車電力電子驅動系統輕量化、高效化，在新能源車的主驅逆變器等關鍵電控部件中將發揮更重要的作用。隨着全球對於電動汽車接納程度的逐步提升，碳化硅（SiC）在未來十年將會迎來全新的增長契機。

本次發佈的賽晶科技SiC MOSFET芯片，採用多項行業領先的特色設計和工藝，包括：

-- 芯片邊沿至金屬層僅為約100微米；      -- 元胞間距降低至最小5.0微米；

-- 獲得最佳性能的短溝道設計；               -- 元胞間的電流擴散注入；

-- 柵極金屬佈局連續環繞在芯片周圍；     -- 有源區內多晶硅柵極澆道；

-- 連續的鋁銅源極焊盤。

源於出色的設計和工藝，我們的SiC MOSFET芯片在高温工作條件下，展現出了極佳的靜態和動態特性，並且達到了行業一流水平的1200V/13mΩ。

此外，採用此SiC MOSFET芯片，賽晶科技還推出了多個型號的車規級、高性能HEEV封裝、EVD封裝SiC模塊。HEEV封裝、EVD封裝SiC模塊採用行業領先的設計和封裝工藝，具有非常出色的散熱性能，以及極佳的可靠性、魯棒性，並可以覆蓋100KW至300KW 主流電動汽車應用需求，特別是電動汽車緊湊型逆變器。

同期展出的賽晶i20 IGBT芯片、ED封裝IGBT模塊、ST封裝IGBT模塊、BEVD封裝IGBT模塊、EP封裝IGBT模塊，以及HEEV封裝SiC模塊、EVD封裝SiC模塊產品，受到了與會者的高度關注和熱烈反響，吸引眾多與會者、現場嘉賓的熱烈關注和深入交流。

澎湃「芯」動力，賦能「芯」未來，在全球巨頭林立的PCIM Asia 2024，賽晶自主研發IGBT、SiC芯片及模塊等眾多產品，憑藉國際一流的技術水平和卓越的性能表現，贏得國內外業內專家和客户的一致認可和高度讚譽。

(賽晶科技)